PTD60N02 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTD60N02  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTD60N02

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTD60N02 даташит

 ..1. Size:3024K  cn puolop
 ptd60n02.pdf pdf_icon

PTD60N02

PTD60N0 2 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 0V N Description The PTD60N02 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I =60 A DS D R

Другие IGBT... PTD12N10, PTD15N10, PTD20N06, PTD3004, PTD3006, PTD4080B, PTD4N60, PTD50N06, IRFP250N, PTD7N65, PTD80N06, PTF10N65, PTF10HN08, PTY10HN08, PTF12N65, PTF13N50, PTF2N65