PTD60N02 - аналоги и даташиты транзистора

 

PTD60N02 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PTD60N02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для PTD60N02

 

PTD60N02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3024K  cn puolop
 ptd60n02.pdf pdf_icon

PTD60N02

PTD60N0 2 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 0V N Description The PTD60N02 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I =60 A DS D R

Другие MOSFET... PTD12N10 , PTD15N10 , PTD20N06 , PTD3004 , PTD3006 , PTD4080B , PTD4N60 , PTD50N06 , IRFP250N , PTD7N65 , PTD80N06 , PTF10N65 , PTF10HN08 , PTY10HN08 , PTF12N65 , PTF13N50 , PTF2N65 .

History: PTD50N06 | PTP12HN06 | IXFX62N25 | STP42N65M5 | SIHG47N60AEF | SI1023CX

 

 
Back to Top

 


 
.