PTD80N06 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PTD80N06  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: TO252

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PTD80N06 datasheet

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PTD80N06

PTD80N06 60V/80A N-Chnnel MOSFET Features D 60V/80A RDS(ON)=7.3m @ VGS=10V G Lead free and Green Device Available Low Rds-on to Minimize Conductive Loss S High avalanche Current D % 100 Avalanche Tested Application G S Power Supply TO-252 DC-DC Converters UPS Battery Manageme ent System Absolute Maximum Ratings (TA=25

Otros transistores... PTD20N06, PTD3004, PTD3006, PTD4080B, PTD4N60, PTD50N06, PTD60N02, PTD7N65, IRF9540, PTF10N65, PTF10HN08, PTY10HN08, PTF12N65, PTF13N50, PTF2N65, PTF5N65, PTF7N65