Справочник MOSFET. PTD80N06

 

PTD80N06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PTD80N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 90 nC
   trⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для PTD80N06

 

 

PTD80N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3557K  cn puolop
 ptd80n06.pdf

PTD80N06 PTD80N06

PTD80N0660V/80A N-Chnnel MOSFETFeaturesD 60V/80ARDS(ON)=7.3m @ VGS=10V G Lead free and Green Device Available Low Rds-on to Minimize Conductive Loss S High avalanche Current D% 100 Avalanche TestedApplicationG S Power SupplyTO-252 DC-DC Converters UPS Battery Manageme ent System Absolute Maximum Ratings (TA=25

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top