PTD80N06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTD80N06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTD80N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTD80N06 даташит

 ..1. Size:3557K  cn puolop
 ptd80n06.pdf pdf_icon

PTD80N06

PTD80N06 60V/80A N-Chnnel MOSFET Features D 60V/80A RDS(ON)=7.3m @ VGS=10V G Lead free and Green Device Available Low Rds-on to Minimize Conductive Loss S High avalanche Current D % 100 Avalanche Tested Application G S Power Supply TO-252 DC-DC Converters UPS Battery Manageme ent System Absolute Maximum Ratings (TA=25

Другие IGBT... PTD20N06, PTD3004, PTD3006, PTD4080B, PTD4N60, PTD50N06, PTD60N02, PTD7N65, IRF9540, PTF10N65, PTF10HN08, PTY10HN08, PTF12N65, PTF13N50, PTF2N65, PTF5N65, PTF7N65