PTF12N65 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PTF12N65  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 178 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm

Encapsulados: TO220F

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PTF12N65 datasheet

 ..1. Size:7543K  cn puolop
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PTF12N65

PTF1 2N65 65 0V/1 2A N-Channel A dv anced Power MOSFET Features RDS(on) (Typical 0.5 )@VGS=10V Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150 C) G D S TO-220F Absolute Maximum Ratings Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above

 8.1. Size:391K  pipsemi
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PTF12N65

PTF12N90 900V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 900V 750m 12A RDS(ON),typ.=750 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder G High Efficiency SMPS D S Ordering Information Part Number Package Brand TO-247 Package PT

Otros transistores... PTD4N60, PTD50N06, PTD60N02, PTD7N65, PTD80N06, PTF10N65, PTF10HN08, PTY10HN08, 2N7002, PTF13N50, PTF2N65, PTF5N65, PTF7N65, PTF8N65, PTN3006, PTN30P03, PTP10HN10