PTF12N65 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTF12N65  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 178 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTF12N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTF12N65 даташит

 ..1. Size:7543K  cn puolop
 ptf12n65.pdf pdf_icon

PTF12N65

PTF1 2N65 65 0V/1 2A N-Channel A dv anced Power MOSFET Features RDS(on) (Typical 0.5 )@VGS=10V Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150 C) G D S TO-220F Absolute Maximum Ratings Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above

 8.1. Size:391K  pipsemi
 ptf12n90.pdf pdf_icon

PTF12N65

PTF12N90 900V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 900V 750m 12A RDS(ON),typ.=750 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder G High Efficiency SMPS D S Ordering Information Part Number Package Brand TO-247 Package PT

Другие IGBT... PTD4N60, PTD50N06, PTD60N02, PTD7N65, PTD80N06, PTF10N65, PTF10HN08, PTY10HN08, 2N7002, PTF13N50, PTF2N65, PTF5N65, PTF7N65, PTF8N65, PTN3006, PTN30P03, PTP10HN10