Справочник MOSFET. PTF12N65

 

PTF12N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTF12N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 178 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PTF12N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:7543K  cn puolop
 ptf12n65.pdf pdf_icon

PTF12N65

PTF1 2N6565 0V/1 2A N-Channel A dv anced Power MOSFETFeatures RDS(on) (Typical 0.5 )@VGS=10V Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150C)G D STO-220FAbsolute Maximum RatingsStresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above

 8.1. Size:391K  pipsemi
 ptf12n90.pdf pdf_icon

PTF12N65

PTF12N90 900V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 900V 750m 12A RDS(ON),typ.=750 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder G High Efficiency SMPS D S Ordering Information Part Number Package Brand TO-247 Package PT

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: 2SJ128-Z | SQJ460AEP | 2SJ673 | IRF6217 | 2SK56 | IRC8405 | 7N65KG-T2Q-T

 

 
Back to Top

 


 
.