PTF13N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PTF13N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de PTF13N50 MOSFET
PTF13N50 Datasheet (PDF)
ptf13n50.pdf

PTF1 3 N5 05 00V/1 3 A N-Channel A dv anced Power MOSFETFeatures )@VGS=10V RDS(on) (Typical 0.44 Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150C)G D STO-220FAbsolute Maximum RatingsStresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation
Otros transistores... PTD50N06 , PTD60N02 , PTD7N65 , PTD80N06 , PTF10N65 , PTF10HN08 , PTY10HN08 , PTF12N65 , IRF1010E , PTF2N65 , PTF5N65 , PTF7N65 , PTF8N65 , PTN3006 , PTN30P03 , PTP10HN10 , PTP12HN06 .
History: AOTF14N50FD | 2SK1503 | 2SJ244 | SGSP364 | RJK0353DPA | RFM8P08 | 2SK3519-01
History: AOTF14N50FD | 2SK1503 | 2SJ244 | SGSP364 | RJK0353DPA | RFM8P08 | 2SK3519-01



Liste
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