Справочник MOSFET. PTF13N50

 

PTF13N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTF13N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для PTF13N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTF13N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:8369K  cn puolop
 ptf13n50.pdf pdf_icon

PTF13N50

PTF1 3 N5 05 00V/1 3 A N-Channel A dv anced Power MOSFETFeatures )@VGS=10V RDS(on) (Typical 0.44 Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150C)G D STO-220FAbsolute Maximum RatingsStresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation

Другие MOSFET... PTD50N06 , PTD60N02 , PTD7N65 , PTD80N06 , PTF10N65 , PTF10HN08 , PTY10HN08 , PTF12N65 , IRF1010E , PTF2N65 , PTF5N65 , PTF7N65 , PTF8N65 , PTN3006 , PTN30P03 , PTP10HN10 , PTP12HN06 .

History: AP4533GEH-HF | BUZ77B | IPAN60R210PFD7S | P6503FMA | UTM2054G-AE3-R | AOI4T60P | PFB2N60

 

 
Back to Top

 


 
.