PTF13N50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PTF13N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 39 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 43 nC
Время нарастания (tr): 100 ns
Выходная емкость (Cd): 180 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.52 Ohm
Тип корпуса: TO220F
PTF13N50 Datasheet (PDF)
ptf13n50.pdf
PTF1 3 N5 05 00V/1 3 A N-Channel A dv anced Power MOSFETFeatures )@VGS=10V RDS(on) (Typical 0.44 Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150C)G D STO-220FAbsolute Maximum RatingsStresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .