PTF13N50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTF13N50  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTF13N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTF13N50 даташит

 ..1. Size:8369K  cn puolop
 ptf13n50.pdf pdf_icon

PTF13N50

PTF1 3 N5 0 5 00V/1 3 A N-Channel A dv anced Power MOSFET Features )@VGS=10V RDS(on) (Typical 0.44 Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150 C) G D S TO-220F Absolute Maximum Ratings Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation

Другие IGBT... PTD50N06, PTD60N02, PTD7N65, PTD80N06, PTF10N65, PTF10HN08, PTY10HN08, PTF12N65, IRF9540N, PTF2N65, PTF5N65, PTF7N65, PTF8N65, PTN3006, PTN30P03, PTP10HN10, PTP12HN06