PTF2N65 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PTF2N65  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm

Encapsulados: TO220F

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PTF2N65 datasheet

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PTF2N65

PTF2N65 65 0V/2A N-Channel A dv anced Power MOSFET Features RDS(on) (Typical 4.9 )@VGS=30V Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150 C) G D S TO-220F Absolute Maximum Ratings Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the

Otros transistores... PTD60N02, PTD7N65, PTD80N06, PTF10N65, PTF10HN08, PTY10HN08, PTF12N65, PTF13N50, IRF4905, PTF5N65, PTF7N65, PTF8N65, PTN3006, PTN30P03, PTP10HN10, PTP12HN06, PTY12HN06