Справочник MOSFET. PTF2N65

 

PTF2N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTF2N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для PTF2N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTF2N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:6259K  cn puolop
 ptf2n65.pdf pdf_icon

PTF2N65

PTF2N6565 0V/2A N-Channel A dv anced Power MOSFETFeatures RDS(on) (Typical 4.9 )@VGS=30V Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150C)G D STO-220FAbsolute Maximum RatingsStresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the

Другие MOSFET... PTD60N02 , PTD7N65 , PTD80N06 , PTF10N65 , PTF10HN08 , PTY10HN08 , PTF12N65 , PTF13N50 , IRF4905 , PTF5N65 , PTF7N65 , PTF8N65 , PTN3006 , PTN30P03 , PTP10HN10 , PTP12HN06 , PTY12HN06 .

History: 2SJ498 | IRFH7934PBF | SFF116N10M

 

 
Back to Top

 


 
.