PTF5N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PTF5N65
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PTF5N65
PTF5N65 Datasheet (PDF)
ptf5n65.pdf
PTF5 N6565 0V/5 A N-Channel A dv anced Power MOSFETFeatures RDS(on) (Typical 1.9 )@VGS=10V Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150C)G D STO-220FAbsolute Maximum RatingsStresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above t
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Liste
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