Справочник MOSFET. PTF5N65

 

PTF5N65 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PTF5N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 39 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 12 nC
   Время нарастания (tr): 14 ns
   Выходная емкость (Cd): 54 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.6 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для PTF5N65

 

 

PTF5N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4687K  cn puolop
 ptf5n65.pdf

PTF5N65 PTF5N65

PTF5 N6565 0V/5 A N-Channel A dv anced Power MOSFETFeatures RDS(on) (Typical 1.9 )@VGS=10V Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150C)G D STO-220FAbsolute Maximum RatingsStresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above t

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: TPA65R750C

 

 
Back to Top