PTN3006 Todos los transistores

 

PTN3006 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PTN3006
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET PTN3006

 

Principales características: PTN3006

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PTN3006

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PTN3006

PTN30P03 -30V/-30A P-Channel Advanced Power MOSFET Features BVDSS -30 V - 4.5V Logic Level Control ID -30 A PDFN3333 SMD Package m RDSON@VGS=-10V 9 Applications RDSON@VGS=-5V 13 m High Side Load Switch Battery Switch Optimized for Power Management Applications for Portable Products, such as Aeromodelling, Power bank, Brushless motor, Main board

Otros transistores... PTF10HN08 , PTY10HN08 , PTF12N65 , PTF13N50 , PTF2N65 , PTF5N65 , PTF7N65 , PTF8N65 , IRFP260 , PTN30P03 , PTP10HN10 , PTP12HN06 , PTY12HN06 , PTP4N60 , PTF4N60 , PDB1216E , PDB3010H .

History: PTN30P03 | IRF7331 | ZVN3310ASTOB | SIHG47N60AEF | SIHFZ34 | PTP10HN10

 

 
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