PTN3006 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PTN3006 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
Encapsulados: PDFN5X6
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Búsqueda de reemplazo de PTN3006 MOSFET
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PTN3006 datasheet
ptn30p03.pdf
PTN30P03 -30V/-30A P-Channel Advanced Power MOSFET Features BVDSS -30 V - 4.5V Logic Level Control ID -30 A PDFN3333 SMD Package m RDSON@VGS=-10V 9 Applications RDSON@VGS=-5V 13 m High Side Load Switch Battery Switch Optimized for Power Management Applications for Portable Products, such as Aeromodelling, Power bank, Brushless motor, Main board
Otros transistores... PTF10HN08, PTY10HN08, PTF12N65, PTF13N50, PTF2N65, PTF5N65, PTF7N65, PTF8N65, IRFP260, PTN30P03, PTP10HN10, PTP12HN06, PTY12HN06, PTP4N60, PTF4N60, PDB1216E, PDB3010H
History: IXTQ62N15P
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
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