PTN3006 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTN3006  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTN3006

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTN3006 даташит

 ..1. Size:548K  cn puolop
 ptn3006.pdf pdf_icon

PTN3006

 9.1. Size:959K  cn puolop
 ptn30p03.pdf pdf_icon

PTN3006

PTN30P03 -30V/-30A P-Channel Advanced Power MOSFET Features BVDSS -30 V - 4.5V Logic Level Control ID -30 A PDFN3333 SMD Package m RDSON@VGS=-10V 9 Applications RDSON@VGS=-5V 13 m High Side Load Switch Battery Switch Optimized for Power Management Applications for Portable Products, such as Aeromodelling, Power bank, Brushless motor, Main board

Другие IGBT... PTF10HN08, PTY10HN08, PTF12N65, PTF13N50, PTF2N65, PTF5N65, PTF7N65, PTF8N65, IRFP260, PTN30P03, PTP10HN10, PTP12HN06, PTY12HN06, PTP4N60, PTF4N60, PDB1216E, PDB3010H