PTN3006 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PTN3006
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
trⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6
PTN3006 Datasheet (PDF)
ptn3006.pdf
PTN3006 30V/80A N-Channel Advanced Power MOSFET Symbol Parameter Condition Min. Typ. Max. Unit Static Electrical Characteristics @ TJ = 25C (unless otherwise stated) Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V ID=250A 30 -- -- V V(BR)DSS Zero Gate Voltage Drain current(Tc=25) VDS=24V,VGS=0V -- -- 1 A IDSS Zero Gate Voltage Drain Current(Tc=125) VDS=24V,VGS=0V -- -- 100
ptn30p03.pdf
PTN30P03-30V/-30A P-Channel Advanced Power MOSFETFeatures BVDSS -30 V - 4.5V Logic Level Control ID -30 A PDFN3333 SMD Package mRDSON@VGS=-10V 9Applications RDSON@VGS=-5V 13 m High Side Load Switch Battery Switch Optimized for Power Management Applications for Portable Products, such as Aeromodelling, Power bank,Brushless motor, Main board
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918