PTY12HN06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PTY12HN06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 188 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 76 nC
   Tiempo de subida (tr): 56 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 521 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0056 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

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PTY12HN06 Datasheet (PDF)

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ptp12hn06 pty12hn06.pdf

PTP12HN06/PTY12HN0660V/65AN-ChnnelMOSFET60V/120A N-Chnnel MOSFETFeatures 60V/120AA DRDS(ON)=4.2m VGS=10V (typ.)@ V Lead fre en Device Aee and Gree Available Low Rds ductive Loss Gs-on to Minimize Cond s High ava urrent alanche CuS% 100 Avalanche TestedDApplication Power SupplyG S DC-DC Converters UPS TO-

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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