PTY12HN06 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PTY12HN06 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 188 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 521 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm
Encapsulados: TO263
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PTY12HN06 datasheet
ptp12hn06 pty12hn06.pdf
PTP12HN06/PTY12HN06 60V/65AN-ChnnelMOSFET 60V/120A N-Chnnel MOSFET Features 60V/120A A D RDS(ON)=4.2m VGS=10V (typ.)@ V Lead fre en Device A ee and Gree Available Low Rds ductive Loss G s-on to Minimize Cond s High ava urrent alanche Cu S % 100 Avalanche Tested D Application Power Supply G S DC-DC Converters UPS TO-
Otros transistores... PTF2N65, PTF5N65, PTF7N65, PTF8N65, PTN3006, PTN30P03, PTP10HN10, PTP12HN06, K4145, PTP4N60, PTF4N60, PDB1216E, PDB3010H, PDC2306Z, PDC2603Z, PDC2604Z, PDC3801R
History: 2SK873 | IXTU4N60P | SI5457DC | PDD3908 | IXTT16N50D2 | ECH8602M | IXTT30N60L2
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
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