Справочник MOSFET. PTY12HN06

 

PTY12HN06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PTY12HN06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 76 nC
   trⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 521 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для PTY12HN06

 

 

PTY12HN06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1901K  cn puolop
 ptp12hn06 pty12hn06.pdf

PTY12HN06 PTY12HN06

PTP12HN06/PTY12HN0660V/65AN-ChnnelMOSFET60V/120A N-Chnnel MOSFETFeatures 60V/120AA DRDS(ON)=4.2m VGS=10V (typ.)@ V Lead fre en Device Aee and Gree Available Low Rds ductive Loss Gs-on to Minimize Cond s High ava urrent alanche CuS% 100 Avalanche TestedDApplication Power SupplyG S DC-DC Converters UPS TO-

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top