PTY12HN06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTY12HN06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 521 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTY12HN06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTY12HN06 даташит

 ..1. Size:1901K  cn puolop
 ptp12hn06 pty12hn06.pdf pdf_icon

PTY12HN06

PTP12HN06/PTY12HN06 60V/65AN-ChnnelMOSFET 60V/120A N-Chnnel MOSFET Features 60V/120A A D RDS(ON)=4.2m VGS=10V (typ.)@ V Lead fre en Device A ee and Gree Available Low Rds ductive Loss G s-on to Minimize Cond s High ava urrent alanche Cu S % 100 Avalanche Tested D Application Power Supply G S DC-DC Converters UPS TO-

Другие IGBT... PTF2N65, PTF5N65, PTF7N65, PTF8N65, PTN3006, PTN30P03, PTP10HN10, PTP12HN06, K4145, PTP4N60, PTF4N60, PDB1216E, PDB3010H, PDC2306Z, PDC2603Z, PDC2604Z, PDC3801R