Справочник MOSFET. PTY12HN06

 

PTY12HN06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTY12HN06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 521 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для PTY12HN06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTY12HN06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1901K  cn puolop
 ptp12hn06 pty12hn06.pdf pdf_icon

PTY12HN06

PTP12HN06/PTY12HN0660V/65AN-ChnnelMOSFET60V/120A N-Chnnel MOSFETFeatures 60V/120AA DRDS(ON)=4.2m VGS=10V (typ.)@ V Lead fre en Device Aee and Gree Available Low Rds ductive Loss Gs-on to Minimize Cond s High ava urrent alanche CuS% 100 Avalanche TestedDApplication Power SupplyG S DC-DC Converters UPS TO-

Другие MOSFET... PTF2N65 , PTF5N65 , PTF7N65 , PTF8N65 , PTN3006 , PTN30P03 , PTP10HN10 , PTP12HN06 , IRFB3607 , PTP4N60 , PTF4N60 , PDB1216E , PDB3010H , PDC2306Z , PDC2603Z , PDC2604Z , PDC3801R .

History: AFP2301 | DE275X2-501N16A | DE275-102N06A | FDZ7296 | SSF2816EB | AP4438GYT-HF | CS1N60

 

 
Back to Top

 


 
.