PTP4N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PTP4N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 109 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 10.2 nC
Tiempo de subida (tr): 13 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 46 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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PTP4N60 Datasheet (PDF)
ptp4n60 ptf4n60.pdf
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ptp4n65 ptf4n65.pdf
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