Справочник MOSFET. PTP4N60

 

PTP4N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTP4N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 109 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для PTP4N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTP4N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1946K  cn puolop
 ptp4n60 ptf4n60.pdf pdf_icon

PTP4N60

PTP4 N60/PTF4 N60600V/4 A N-Channel A dv anced Power MOSFETFeatures RDS(on) (Typical 2.6 )@VGS=10V Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150C)G D S G D STO-220 TO-220FAbsolute Maximum RatingsStresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functio

 8.1. Size:3237K  cn puolop
 ptp4n65 ptf4n65.pdf pdf_icon

PTP4N60

PTP4 N65 /PTF4 N6565 0V/4 A N-Channel A dv anced Power MOSFETFeatures RDS(on) (Typical 2.6 )@VGS=10V Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150C)G D S G D STO-220 TO-220FAbsolute Maximum RatingsStresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Funct

Другие MOSFET... PTF5N65 , PTF7N65 , PTF8N65 , PTN3006 , PTN30P03 , PTP10HN10 , PTP12HN06 , PTY12HN06 , TK10A60D , PTF4N60 , PDB1216E , PDB3010H , PDC2306Z , PDC2603Z , PDC2604Z , PDC3801R , PDC3803R .

History: JCS7N120ABA | RJK0652DPB | AOSS32136C | PMT280ENEA | 6N60KG-TMS2-T | TPNTA4151PT1G | PE561BA

 

 
Back to Top

 


 
.