PTF4N60 Todos los transistores

 

PTF4N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PTF4N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de PTF4N60 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PTF4N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1946K  cn puolop
 ptp4n60 ptf4n60.pdf pdf_icon

PTF4N60

PTP4 N60/PTF4 N60600V/4 A N-Channel A dv anced Power MOSFETFeatures RDS(on) (Typical 2.6 )@VGS=10V Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150C)G D S G D STO-220 TO-220FAbsolute Maximum RatingsStresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functio

 8.1. Size:3237K  cn puolop
 ptp4n65 ptf4n65.pdf pdf_icon

PTF4N60

PTP4 N65 /PTF4 N6565 0V/4 A N-Channel A dv anced Power MOSFETFeatures RDS(on) (Typical 2.6 )@VGS=10V Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150C)G D S G D STO-220 TO-220FAbsolute Maximum RatingsStresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Funct

Otros transistores... PTF7N65 , PTF8N65 , PTN3006 , PTN30P03 , PTP10HN10 , PTP12HN06 , PTY12HN06 , PTP4N60 , 5N60 , PDB1216E , PDB3010H , PDC2306Z , PDC2603Z , PDC2604Z , PDC3801R , PDC3803R , PDC3810V .

History: SSF70R650S2 | SHD224606 | SVF1N60MJ | ELM14604AA | PSMN2R8-40BS | SVF1N60N | TSA3878

 

 
Back to Top

 


 
.