PTF4N60 - аналоги и даташиты транзистора

 

PTF4N60 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PTF4N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для PTF4N60

 

PTF4N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1946K  cn puolop
 ptp4n60 ptf4n60.pdf pdf_icon

PTF4N60

PTP4 N60/PTF4 N60 600V/4 A N-Channel A dv anced Power MOSFET Features RDS(on) (Typical 2.6 )@VGS=10V Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150 C) G D S G D S TO-220 TO-220F Absolute Maximum Ratings Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functio

 8.1. Size:3237K  cn puolop
 ptp4n65 ptf4n65.pdf pdf_icon

PTF4N60

PTP4 N65 /PTF4 N65 65 0V/4 A N-Channel A dv anced Power MOSFET Features RDS(on) (Typical 2.6 )@VGS=10V Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150 C) G D S G D S TO-220 TO-220F Absolute Maximum Ratings Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Funct

Другие MOSFET... PTF7N65 , PTF8N65 , PTN3006 , PTN30P03 , PTP10HN10 , PTP12HN06 , PTY12HN06 , PTP4N60 , AON7410 , PDB1216E , PDB3010H , PDC2306Z , PDC2603Z , PDC2604Z , PDC3801R , PDC3803R , PDC3810V .

History: ZVN3306FTA | SST70R380S2 | SVD9Z24NT

 

 
Back to Top

 


 
.