PTF4N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PTF4N60  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PTF4N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTF4N60 даташит

 ..1. Size:1946K  cn puolop
 ptp4n60 ptf4n60.pdf pdf_icon

PTF4N60

PTP4 N60/PTF4 N60 600V/4 A N-Channel A dv anced Power MOSFET Features RDS(on) (Typical 2.6 )@VGS=10V Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150 C) G D S G D S TO-220 TO-220F Absolute Maximum Ratings Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functio

 8.1. Size:3237K  cn puolop
 ptp4n65 ptf4n65.pdf pdf_icon

PTF4N60

PTP4 N65 /PTF4 N65 65 0V/4 A N-Channel A dv anced Power MOSFET Features RDS(on) (Typical 2.6 )@VGS=10V Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150 C) G D S G D S TO-220 TO-220F Absolute Maximum Ratings Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Funct

Другие IGBT... PTF7N65, PTF8N65, PTN3006, PTN30P03, PTP10HN10, PTP12HN06, PTY12HN06, PTP4N60, AON7410, PDB1216E, PDB3010H, PDC2306Z, PDC2603Z, PDC2604Z, PDC3801R, PDC3803R, PDC3810V