PDB1216E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PDB1216E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 8.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2-6L

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PDB1216E Datasheet (PDF)

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pdb1216e.pdf

12V Dual N-Channel MOSFETs PDB1216E General Description BVDSS RDSON ID These dual N Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. 12V 23m 6A This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior Features switching performance, and withstand high energy 12V,6A, RDS(ON) =2

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: