PDB1216E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDB1216E  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2-6L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PDB1216E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDB1216E даташит

 ..1. Size:642K  potens
 pdb1216e.pdf pdf_icon

PDB1216E

12V Dual N-Channel MOSFETs PDB1216E General Description BVDSS RDSON ID These dual N Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. 12V 23m 6A This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior Features switching performance, and withstand high energy 12V,6A, RDS(ON) =2

Другие IGBT... PTF8N65, PTN3006, PTN30P03, PTP10HN10, PTP12HN06, PTY12HN06, PTP4N60, PTF4N60, 12N60, PDB3010H, PDC2306Z, PDC2603Z, PDC2604Z, PDC3801R, PDC3803R, PDC3810V, PDC3902X