Справочник MOSFET. PDB1216E

 

PDB1216E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PDB1216E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2-6L
 

 Аналог (замена) для PDB1216E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDB1216E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:642K  potens
 pdb1216e.pdf pdf_icon

PDB1216E

12V Dual N-Channel MOSFETs PDB1216E General Description BVDSS RDSON ID These dual N Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. 12V 23m 6A This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior Features switching performance, and withstand high energy 12V,6A, RDS(ON) =2

Другие MOSFET... PTF8N65 , PTN3006 , PTN30P03 , PTP10HN10 , PTP12HN06 , PTY12HN06 , PTP4N60 , PTF4N60 , 4N60 , PDB3010H , PDC2306Z , PDC2603Z , PDC2604Z , PDC3801R , PDC3803R , PDC3810V , PDC3902X .

History: MSU11N50Q | 6N65KG-TF3-T | UT30P04

 

 
Back to Top

 


 
.