PDC2306Z Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PDC2306Z 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44.6 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0054 Ohm
Encapsulados: PPAK3X3
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PDC2306Z datasheet
pdc2306z.pdf
20V N-Channel MOSFETs PDC2306Z General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 20V 5.4m 65A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 20V,65A, RDS(ON) =5.4m @VGS = 4.5V performance, and withstand high e
Otros transistores... PTN30P03, PTP10HN10, PTP12HN06, PTY12HN06, PTP4N60, PTF4N60, PDB1216E, PDB3010H, IRF1010E, PDC2603Z, PDC2604Z, PDC3801R, PDC3803R, PDC3810V, PDC3902X, PDC3903X, PDC3903Z
History: PSD04N65B | SI7120DN
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
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