PDC2306Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PDC2306Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0054 Ohm
Paquete / Cubierta: PPAK3X3
Búsqueda de reemplazo de PDC2306Z MOSFET
PDC2306Z Datasheet (PDF)
pdc2306z.pdf

20V N-Channel MOSFETs PDC2306Z General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 20V 5.4m 65A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 20V,65A, RDS(ON) =5.4m @VGS = 4.5V performance, and withstand high e
Otros transistores... PTN30P03 , PTP10HN10 , PTP12HN06 , PTY12HN06 , PTP4N60 , PTF4N60 , PDB1216E , PDB3010H , IRF530 , PDC2603Z , PDC2604Z , PDC3801R , PDC3803R , PDC3810V , PDC3902X , PDC3903X , PDC3903Z .
History: PTP4N60 | 2SK1200 | NCEP6012AS | NCEP6050AQU | NCEP40T20ASL | PDC3801R | NCEP40T35ALL
History: PTP4N60 | 2SK1200 | NCEP6012AS | NCEP6050AQU | NCEP40T20ASL | PDC3801R | NCEP40T35ALL



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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