PDC2306Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PDC2306Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44.6 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0054 Ohm
Paquete / Cubierta: PPAK3X3
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PDC2306Z
Principales características: PDC2306Z
pdc2306z.pdf
20V N-Channel MOSFETs PDC2306Z General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 20V 5.4m 65A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 20V,65A, RDS(ON) =5.4m @VGS = 4.5V performance, and withstand high e
Otros transistores... PTN30P03 , PTP10HN10 , PTP12HN06 , PTY12HN06 , PTP4N60 , PTF4N60 , PDB1216E , PDB3010H , IRF1010E , PDC2603Z , PDC2604Z , PDC3801R , PDC3803R , PDC3810V , PDC3902X , PDC3903X , PDC3903Z .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031 | irfp150n | mj15025 | mp1620 | kta1381