PDC2306Z - аналоги и даташиты транзистора

 

PDC2306Z - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PDC2306Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm
   Тип корпуса: PPAK3X3
 

 Аналог (замена) для PDC2306Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDC2306Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:979K  potens
 pdc2306z.pdf pdf_icon

PDC2306Z

20V N-Channel MOSFETs PDC2306Z General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 20V 5.4m 65A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 20V,65A, RDS(ON) =5.4m @VGS = 4.5V performance, and withstand high e

Другие MOSFET... PTN30P03 , PTP10HN10 , PTP12HN06 , PTY12HN06 , PTP4N60 , PTF4N60 , PDB1216E , PDB3010H , TK10A60D , PDC2603Z , PDC2604Z , PDC3801R , PDC3803R , PDC3810V , PDC3902X , PDC3903X , PDC3903Z .

History: AP4N1R8CMT-A | IPA50R190CE | SSM3J35MFV | AP4N2R6J | SIS488DN | PDC2603Z

 

 
Back to Top

 


 
.