PDC2306Z datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDC2306Z  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm

Тип корпуса: PPAK3X3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PDC2306Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDC2306Z даташит

 ..1. Size:979K  potens
 pdc2306z.pdf pdf_icon

PDC2306Z

20V N-Channel MOSFETs PDC2306Z General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 20V 5.4m 65A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 20V,65A, RDS(ON) =5.4m @VGS = 4.5V performance, and withstand high e

Другие IGBT... PTN30P03, PTP10HN10, PTP12HN06, PTY12HN06, PTP4N60, PTF4N60, PDB1216E, PDB3010H, IRF1010E, PDC2603Z, PDC2604Z, PDC3801R, PDC3803R, PDC3810V, PDC3902X, PDC3903X, PDC3903Z