PDC2603Z Todos los transistores

 

PDC2603Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PDC2603Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: PPAK3X3

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET PDC2603Z

 

Principales características: PDC2603Z

 ..1. Size:1040K  potens
 pdc2603z.pdf pdf_icon

PDC2603Z

20V P-Channel MOSFETs PDC2603Z General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -20V 8m -60A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -20V,-60A, RDS(ON) =8m @VGS = -4.5V performance, and withstand high e

 8.1. Size:462K  potens
 pdc2604z.pdf pdf_icon

PDC2603Z

20V N-Channel MOSFETs PDC2604Z General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 20V 3.5m 80A advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching Features 20V,80A, RDS(ON) =3.5m @VGS = 10V performance, and withstand high energ

Otros transistores... PTP10HN10 , PTP12HN06 , PTY12HN06 , PTP4N60 , PTF4N60 , PDB1216E , PDB3010H , PDC2306Z , IRFB3607 , PDC2604Z , PDC3801R , PDC3803R , PDC3810V , PDC3902X , PDC3903X , PDC3903Z , PDC3904Z .

History: MRF175GV | PSMN3R5-40YSD | MRF166W | CS3N40A23 | FCAB21520L1 | FBM85N80B

 

 
Back to Top

 


 
.