PDC2603Z Todos los transistores

 

PDC2603Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PDC2603Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 68 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: PPAK3X3
 

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PDC2603Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1040K  potens
 pdc2603z.pdf pdf_icon

PDC2603Z

20V P-Channel MOSFETs PDC2603Z General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -20V 8m -60A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -20V,-60A, RDS(ON) =8m@VGS = -4.5V performance, and withstand high e

 8.1. Size:462K  potens
 pdc2604z.pdf pdf_icon

PDC2603Z

20V N-Channel MOSFETs PDC2604Z General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 20V 3.5m 80A advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching Features 20V,80A, RDS(ON) =3.5m@VGS = 10V performance, and withstand high energ

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History: IPA50R950CE | SIS488DN | PDC3906Z | JFFM18N50C | AP4N1R8CMT-A | PDC3904Z | AM2306N

 

 
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