PDC2603Z - аналоги и даташиты транзистора

 

PDC2603Z - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PDC2603Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: PPAK3X3

 Аналог (замена) для PDC2603Z

 

PDC2603Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1040K  potens
 pdc2603z.pdf pdf_icon

PDC2603Z

20V P-Channel MOSFETs PDC2603Z General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -20V 8m -60A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -20V,-60A, RDS(ON) =8m @VGS = -4.5V performance, and withstand high e

 8.1. Size:462K  potens
 pdc2604z.pdf pdf_icon

PDC2603Z

20V N-Channel MOSFETs PDC2604Z General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 20V 3.5m 80A advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching Features 20V,80A, RDS(ON) =3.5m @VGS = 10V performance, and withstand high energ

Другие MOSFET... PTP10HN10 , PTP12HN06 , PTY12HN06 , PTP4N60 , PTF4N60 , PDB1216E , PDB3010H , PDC2306Z , IRFB3607 , PDC2604Z , PDC3801R , PDC3803R , PDC3810V , PDC3902X , PDC3903X , PDC3903Z , PDC3904Z .

History: HMS105N10D | FBM85N80B | MRF175GV | FCAB21520L1 | HM7N65I

 

 
Back to Top

 


 
.