PDC2603Z datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDC2603Z  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: PPAK3X3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PDC2603Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDC2603Z даташит

 ..1. Size:1040K  potens
 pdc2603z.pdf pdf_icon

PDC2603Z

20V P-Channel MOSFETs PDC2603Z General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -20V 8m -60A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -20V,-60A, RDS(ON) =8m @VGS = -4.5V performance, and withstand high e

 8.1. Size:462K  potens
 pdc2604z.pdf pdf_icon

PDC2603Z

20V N-Channel MOSFETs PDC2604Z General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 20V 3.5m 80A advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching Features 20V,80A, RDS(ON) =3.5m @VGS = 10V performance, and withstand high energ

Другие IGBT... PTP10HN10, PTP12HN06, PTY12HN06, PTP4N60, PTF4N60, PDB1216E, PDB3010H, PDC2306Z, IRFB3607, PDC2604Z, PDC3801R, PDC3803R, PDC3810V, PDC3902X, PDC3903X, PDC3903Z, PDC3904Z