STW8N80 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STW8N80
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 280 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
Encapsulados: TO247
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STW8N80 datasheet
stw8nc90z.pdf
STW8NC90Z N-CHANNEL 900V - 1.1 - 7.6A TO-247 Zener-Protected PowerMESH III MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW8NC90Z 900 V
stw8nb100.pdf
STW8NB100 N-CHANNEL 1000V - 1.3 - 7.3ATO-247 PowerMesh MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW8NB100 1000V
Otros transistores... STW15N50 , STW15NA50 , STW16N40 , STW20NA50 , STW55N10 , STW60N10 , STW75N06 , STW80N05 , IRF540N , STW9NA60 , TA17632 , TA17650 , TA17656 , TA75307 , TA75309 , TA75321 , TA75329 .
History: 3SK290 | 2SK529 | WMK053N10HGS | 3SK169P | RSR025P03 | 3SK143P | 3SK122
History: 3SK290 | 2SK529 | WMK053N10HGS | 3SK169P | RSR025P03 | 3SK143P | 3SK122
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
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