STW8N80 Todos los transistores

 

STW8N80 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STW8N80

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 280 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm

Encapsulados: TO247

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STW8N80 datasheet

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STW8N80

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STW8N80

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STW8N80

STW8NC90Z N-CHANNEL 900V - 1.1 - 7.6A TO-247 Zener-Protected PowerMESH III MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW8NC90Z 900 V

 9.2. Size:175K  st
stw8nb100.pdf pdf_icon

STW8N80

STW8NB100 N-CHANNEL 1000V - 1.3 - 7.3ATO-247 PowerMesh MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW8NB100 1000V

Otros transistores... STW15N50 , STW15NA50 , STW16N40 , STW20NA50 , STW55N10 , STW60N10 , STW75N06 , STW80N05 , IRF540N , STW9NA60 , TA17632 , TA17650 , TA17656 , TA75307 , TA75309 , TA75321 , TA75329 .

History: 3SK290 | 2SK529 | WMK053N10HGS | 3SK169P | RSR025P03 | 3SK143P | 3SK122

 

 

 

 

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