STW8N80 - описание и поиск аналогов

 

STW8N80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STW8N80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 280 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для STW8N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW8N80 даташит

 ..1. Size:406K  1
sth8n80 sth8n80fi stw8n80.pdfpdf_icon

STW8N80

 ..2. Size:406K  st
stw8n80.pdfpdf_icon

STW8N80

 9.1. Size:267K  st
stw8nc90z.pdfpdf_icon

STW8N80

STW8NC90Z N-CHANNEL 900V - 1.1 - 7.6A TO-247 Zener-Protected PowerMESH III MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW8NC90Z 900 V

 9.2. Size:175K  st
stw8nb100.pdfpdf_icon

STW8N80

STW8NB100 N-CHANNEL 1000V - 1.3 - 7.3ATO-247 PowerMesh MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW8NB100 1000V

Другие MOSFET... STW15N50 , STW15NA50 , STW16N40 , STW20NA50 , STW55N10 , STW60N10 , STW75N06 , STW80N05 , IRF540N , STW9NA60 , TA17632 , TA17650 , TA17656 , TA75307 , TA75309 , TA75321 , TA75329 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.