STW9NA60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STW9NA60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 70 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6.4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.75 V
Carga de la puerta (Qg): 75 nC
Tiempo de subida (tr): 32 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 230 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STW9NA60
STW9NA60 Datasheet (PDF)
stw9na60.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STW9NA60STH9NA60FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NA60 600 V
2sk2078 stw9na80.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STW9NA80STH9NA80FI N - CHANNEL 800V - 0.85 - 9.1A - TO-247/ISOWATT218FAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NA80 800 V
stw9na80.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
STW9NA80STH9NA80FI N - CHANNEL 800V - 0.85 - 9.1A - TO-247/ISOWATT218FAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NA80 800 V
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .