STW9NA60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STW9NA60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.75 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 75 nC
trⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
Тип корпуса: TO247
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STW9NA60 Datasheet (PDF)
stw9na60.pdf
STW9NA60STH9NA60FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NA60 600 V
2sk2078 stw9na80.pdf
STW9NA80STH9NA80FI N - CHANNEL 800V - 0.85 - 9.1A - TO-247/ISOWATT218FAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NA80 800 V
stw9na80.pdf
STW9NA80STH9NA80FI N - CHANNEL 800V - 0.85 - 9.1A - TO-247/ISOWATT218FAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW9NA80 800 V
Другие MOSFET... STW15NA50 , STW16N40 , STW20NA50 , STW55N10 , STW60N10 , STW75N06 , STW80N05 , STW8N80 , IRF540N , TA17632 , TA17650 , TA17656 , TA75307 , TA75309 , TA75321 , TA75329 , TA75333 .
History: P1203EK | SFP9630 | STP5NB40 | NP90N055MUK | FMI20N50E | SI7113ADN | 2SK3532
History: P1203EK | SFP9630 | STP5NB40 | NP90N055MUK | FMI20N50E | SI7113ADN | 2SK3532
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor | b1560 | 2sa1695 | a1175 transistor | 2sc1678