PDC8974X Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PDC8974X 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1346 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm
Encapsulados: PPAK5X6
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PDC8974X datasheet
pdc8974x.pdf
80V N-Channel MOSFETs PDC8974X General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 80V 3.9m 80A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 80V,80A, RDS(ON) =3.9m @VGS = 10V performance, and withstand high e
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History: IXTV02N250S | IXTT500N04T2 | SI7107DN
🌐 : EN ES РУ
Liste
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