PDC8974X datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: PDC8974X 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1346 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm
Тип корпуса: PPAK5X6
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для PDC8974X
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
PDC8974X даташит
pdc8974x.pdf
80V N-Channel MOSFETs PDC8974X General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 80V 3.9m 80A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 80V,80A, RDS(ON) =3.9m @VGS = 10V performance, and withstand high e
Другие IGBT... PDC3906Z, PDC3907Z, PDC3908X, PDC3908Z, PDC3912Z, PDC3960X, PDC3964X, PDC3964Z, SI2302, PDC906Z, PDD0906, PDD3906, PDD3908, PDD6902, PDEC2210V, PDH0980, PDH6902
History: IRF7104 | TSM3454CX6 | IXTR170P10P | IRFAC40 | PF610BC | IRF3704ZCLPBF | DTG025N04NA
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60

