PDD0906 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PDD0906  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm

Encapsulados: TO252

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PDD0906 datasheet

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PDD0906

100V N-Channel MOSFETs PDD0906 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 100V 90m 15A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 100V,15A, RDS(ON) =90m @VGS = 10V performance, and withstand high e

Otros transistores... PDC3908X, PDC3908Z, PDC3912Z, PDC3960X, PDC3964X, PDC3964Z, PDC8974X, PDC906Z, 18N50, PDD3906, PDD3908, PDD6902, PDEC2210V, PDH0980, PDH6902, PDK3908, PDK6912