PDD0906 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PDD0906
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PDD0906

PDD0906 Datasheet (PDF)

..1. Size:414K potens
pdd0906.pdf

100V N-Channel MOSFETs PDD0906 General Description BVDSS RDSON IDThese N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 100V 90m 15A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 100V,15A, RDS(ON) =90m@VGS = 10V performance, and withstand high e

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History: ZVP2106ASTZ | IRFS750A

Liste

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