PDD0906 Todos los transistores

 

PDD0906 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PDD0906
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 15 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 9.3 nC
   Tiempo de subida (tr): 9.5 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 480 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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PDD0906 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:414K  potens
pdd0906.pdf

PDD0906 PDD0906

100V N-Channel MOSFETs PDD0906 General Description BVDSS RDSON IDThese N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 100V 90m 15A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 100V,15A, RDS(ON) =90m@VGS = 10V performance, and withstand high e

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
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