PDD0906 Todos los transistores

 

PDD0906 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PDD0906
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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PDD0906 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:414K  potens
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PDD0906

100V N-Channel MOSFETs PDD0906 General Description BVDSS RDSON IDThese N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 100V 90m 15A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 100V,15A, RDS(ON) =90m@VGS = 10V performance, and withstand high e

Otros transistores... PDC3908X , PDC3908Z , PDC3912Z , PDC3960X , PDC3964X , PDC3964Z , PDC8974X , PDC906Z , 75N75 , PDD3906 , PDD3908 , PDD6902 , PDEC2210V , PDH0980 , PDH6902 , PDK3908 , PDK6912 .

History: NVMFD5C470N | CJU04N65 | NTMFD4C20N | SRC65R1K3ES | 2SK947 | 2SK241 | RHU003N03

 

 
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