Справочник MOSFET. PDD0906

 

PDD0906 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PDD0906
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PDD0906 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:414K  potens
 pdd0906.pdf pdf_icon

PDD0906

100V N-Channel MOSFETs PDD0906 General Description BVDSS RDSON IDThese N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 100V 90m 15A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 100V,15A, RDS(ON) =90m@VGS = 10V performance, and withstand high e

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: PMGD780SN | JCS90N10I | 12N65KL-TQ | MS65R120C | NCEP045N85GU | TK32A12N1 | MEE7816S

 

 
Back to Top

 


 
.