PDD0906 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDD0906  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PDD0906

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDD0906 даташит

 ..1. Size:414K  potens
 pdd0906.pdf pdf_icon

PDD0906

100V N-Channel MOSFETs PDD0906 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 100V 90m 15A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 100V,15A, RDS(ON) =90m @VGS = 10V performance, and withstand high e

Другие IGBT... PDC3908X, PDC3908Z, PDC3912Z, PDC3960X, PDC3964X, PDC3964Z, PDC8974X, PDC906Z, 18N50, PDD3906, PDD3908, PDD6902, PDEC2210V, PDH0980, PDH6902, PDK3908, PDK6912