Справочник MOSFET. PDD0906

 

PDD0906 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PDD0906
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для PDD0906

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDD0906 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:414K  potens
 pdd0906.pdf pdf_icon

PDD0906

100V N-Channel MOSFETs PDD0906 General Description BVDSS RDSON IDThese N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 100V 90m 15A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 100V,15A, RDS(ON) =90m@VGS = 10V performance, and withstand high e

Другие MOSFET... PDC3908X , PDC3908Z , PDC3912Z , PDC3960X , PDC3964X , PDC3964Z , PDC8974X , PDC906Z , 75N75 , PDD3906 , PDD3908 , PDD6902 , PDEC2210V , PDH0980 , PDH6902 , PDK3908 , PDK6912 .

History: JCS90N10I | LND10R040W3 | OSG80R600FF | PA010BV | RFP15N12 | 2SK2016 | HGB012NE6A

 

 
Back to Top

 


 
.