PDD3906 Todos los transistores

 

PDD3906 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PDD3906
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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PDD3906 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:497K  potens
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PDD3906

PDD3906 30V N-Channel MOSFETs General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 30V 6m 80A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 30V,80A, RDS(ON) =6m@VGS = 10V performance, and withstand high energ

 8.1. Size:497K  potens
 pdd3908.pdf pdf_icon

PDD3906

30V N-Channel MOSFETs PDD3908 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 30V 9m 55A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 30V,55A, RDS(ON) =9m@VGS = 10V performance, and withstand high energ

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History: UT2321

 

 
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