PDD3906 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDD3906  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PDD3906

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDD3906 даташит

 ..1. Size:497K  potens
 pdd3906.pdf pdf_icon

PDD3906

PDD3906 30V N-Channel MOSFETs General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 30V 6m 80A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 30V,80A, RDS(ON) =6m @VGS = 10V performance, and withstand high energ

 8.1. Size:497K  potens
 pdd3908.pdf pdf_icon

PDD3906

30V N-Channel MOSFETs PDD3908 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 30V 9m 55A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 30V,55A, RDS(ON) =9m @VGS = 10V performance, and withstand high energ

Другие IGBT... PDC3908Z, PDC3912Z, PDC3960X, PDC3964X, PDC3964Z, PDC8974X, PDC906Z, PDD0906, 20N50, PDD3908, PDD6902, PDEC2210V, PDH0980, PDH6902, PDK3908, PDK6912, PDN2309S