Справочник MOSFET. PDD3906

 

PDD3906 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PDD3906
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11.1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 14.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для PDD3906

 

 

PDD3906 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:497K  potens
 pdd3906.pdf

PDD3906 PDD3906

PDD3906 30V N-Channel MOSFETs General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 30V 6m 80A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 30V,80A, RDS(ON) =6m@VGS = 10V performance, and withstand high energ

 8.1. Size:497K  potens
 pdd3908.pdf

PDD3906 PDD3906

30V N-Channel MOSFETs PDD3908 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 30V 9m 55A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 30V,55A, RDS(ON) =9m@VGS = 10V performance, and withstand high energ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top