Справочник MOSFET. PDD3906

 

PDD3906 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PDD3906
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для PDD3906

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDD3906 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:497K  potens
 pdd3906.pdf pdf_icon

PDD3906

PDD3906 30V N-Channel MOSFETs General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 30V 6m 80A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 30V,80A, RDS(ON) =6m@VGS = 10V performance, and withstand high energ

 8.1. Size:497K  potens
 pdd3908.pdf pdf_icon

PDD3906

30V N-Channel MOSFETs PDD3908 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 30V 9m 55A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 30V,55A, RDS(ON) =9m@VGS = 10V performance, and withstand high energ

Другие MOSFET... PDC3908Z , PDC3912Z , PDC3960X , PDC3964X , PDC3964Z , PDC8974X , PDC906Z , PDD0906 , 2N60 , PDD3908 , PDD6902 , PDEC2210V , PDH0980 , PDH6902 , PDK3908 , PDK6912 , PDN2309S .

History: 2SK905 | WMO08N60C4 | WMN08N60C4 | HM2301A | UPA1981

 

 
Back to Top

 


 
.