PDD6902 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PDD6902
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 132 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 90 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 58.2 nC
Tiempo de subida (tr): 56.3 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 445 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0045 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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PDD6902 Datasheet (PDF)
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60V N-Channel MOSFETs PDD6902 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 60V 4.5m 90A advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching Features performance, and withstand high energy pulse in the 60V,90A, RDS(ON)
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
