Справочник MOSFET. PDD6902

 

PDD6902 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PDD6902
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 132 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 56.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 445 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для PDD6902

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDD6902 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:819K  potens
 pdd6902.pdf pdf_icon

PDD6902

60V N-Channel MOSFETs PDD6902 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 60V 4.5m 90A advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching Features performance, and withstand high energy pulse in the 60V,90A, RDS(ON)

Другие MOSFET... PDC3960X , PDC3964X , PDC3964Z , PDC8974X , PDC906Z , PDD0906 , PDD3906 , PDD3908 , IRFB31N20D , PDEC2210V , PDH0980 , PDH6902 , PDK3908 , PDK6912 , PDN2309S , PDN2311S , PDN2312S .

History: HGP100N12SL | P5506BVA | OSG90R1K2DF | IRF4905SPBF | CJQ4435

 

 
Back to Top

 


 
.