PDD6902 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PDD6902
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 132 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 56.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 445 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для PDD6902
PDD6902 Datasheet (PDF)
pdd6902.pdf

60V N-Channel MOSFETs PDD6902 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 60V 4.5m 90A advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching Features performance, and withstand high energy pulse in the 60V,90A, RDS(ON)
Другие MOSFET... PDC3960X , PDC3964X , PDC3964Z , PDC8974X , PDC906Z , PDD0906 , PDD3906 , PDD3908 , IRFB31N20D , PDEC2210V , PDH0980 , PDH6902 , PDK3908 , PDK6912 , PDN2309S , PDN2311S , PDN2312S .
History: FDD390N15ALZ | RU17P12C | 2SK801 | 2SK3414LS | PDP0980
History: FDD390N15ALZ | RU17P12C | 2SK801 | 2SK3414LS | PDP0980



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971