Справочник MOSFET. PDD6902

 

PDD6902 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PDD6902
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 132 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 56.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 445 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PDD6902 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:819K  potens
 pdd6902.pdf pdf_icon

PDD6902

60V N-Channel MOSFETs PDD6902 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 60V 4.5m 90A advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching Features performance, and withstand high energy pulse in the 60V,90A, RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STD28P3LLH6 | STB18NF25 | PTD3006 | NTMD6P02R2 | DG2N60-252 | CJQ4435 | SSF3322

 

 
Back to Top

 


 
.