PDD6902 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDD6902  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 132 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 56.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 445 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PDD6902

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDD6902 даташит

 ..1. Size:819K  potens
 pdd6902.pdf pdf_icon

PDD6902

60V N-Channel MOSFETs PDD6902 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 60V 4.5m 90A advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching Features performance, and withstand high energy pulse in the 60V,90A, RDS(ON)

Другие IGBT... PDC3960X, PDC3964X, PDC3964Z, PDC8974X, PDC906Z, PDD0906, PDD3906, PDD3908, IRF2807, PDEC2210V, PDH0980, PDH6902, PDK3908, PDK6912, PDN2309S, PDN2311S, PDN2312S