PDEC2210V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PDEC2210V
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Paquete / Cubierta: PPAK3X3
Búsqueda de reemplazo de PDEC2210V MOSFET
PDEC2210V Datasheet (PDF)
pdec2210v.pdf

20V N-Channel MOSFETs PDEC2210V V General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 20V 12m 30A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 20V,30A, RDS(ON) =12m @VGS = 10V performance, and withstand high
Otros transistores... PDC3964X , PDC3964Z , PDC8974X , PDC906Z , PDD0906 , PDD3906 , PDD3908 , PDD6902 , IRF2807 , PDH0980 , PDH6902 , PDK3908 , PDK6912 , PDN2309S , PDN2311S , PDN2312S , PDN2313S .
History: HAT2188WP | AON6764 | IXTQ170N10P | AUIRFN8405 | TSM2318CX | PTP20N65A | BRCS3415MC
History: HAT2188WP | AON6764 | IXTQ170N10P | AUIRFN8405 | TSM2318CX | PTP20N65A | BRCS3415MC



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet