PDEC2210V Todos los transistores

 

PDEC2210V MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PDEC2210V
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: PPAK3X3

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Principales características: PDEC2210V

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PDEC2210V

20V N-Channel MOSFETs PDEC2210V V General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 20V 12m 30A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 20V,30A, RDS(ON) =12m @VGS = 10V performance, and withstand high

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