PDEC2210V datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDEC2210V  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: PPAK3X3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PDEC2210V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDEC2210V даташит

 ..1. Size:701K  potens
 pdec2210v.pdf pdf_icon

PDEC2210V

20V N-Channel MOSFETs PDEC2210V V General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 20V 12m 30A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 20V,30A, RDS(ON) =12m @VGS = 10V performance, and withstand high

Другие IGBT... PDC3964X, PDC3964Z, PDC8974X, PDC906Z, PDD0906, PDD3906, PDD3908, PDD6902, STF13NM60N, PDH0980, PDH6902, PDK3908, PDK6912, PDN2309S, PDN2311S, PDN2312S, PDN2313S