PDEC2210V - аналоги и даташиты транзистора

 

PDEC2210V - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PDEC2210V
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: PPAK3X3
 

 Аналог (замена) для PDEC2210V

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDEC2210V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:701K  potens
 pdec2210v.pdf pdf_icon

PDEC2210V

20V N-Channel MOSFETs PDEC2210V V General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 20V 12m 30A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 20V,30A, RDS(ON) =12m @VGS = 10V performance, and withstand high

Другие MOSFET... PDC3964X , PDC3964Z , PDC8974X , PDC906Z , PDD0906 , PDD3906 , PDD3908 , PDD6902 , IRFZ24N , PDH0980 , PDH6902 , PDK3908 , PDK6912 , PDN2309S , PDN2311S , PDN2312S , PDN2313S .

History: SM1C01NSFH | KIA12N60H-220 | SRC65R110B | AP2R803AGMT-HF | SI4168DY | 4N90G-TF2-T | YJL2312A

 

 
Back to Top

 


 
.