PDH0980 Todos los transistores

 

PDH0980 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PDH0980
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 275 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1690 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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PDH0980 Datasheet (PDF)

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PDH0980

100V N-Channel MOSFETs PDH0980 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 100V 4.2m 150A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 100V,150A, RDS(ON) =4.2m@VGS = 10V performance, and withstand hi

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History: RDN050N20 | STB55NF06L-1 | WMS05P10TS | IRF644NLPBF | WMK36N60C4 | NTMFD5C650NLT1G | HFP9N50

 

 
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