Справочник MOSFET. PDH0980

 

PDH0980 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PDH0980
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 275 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1690 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PDH0980 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:684K  potens
 pdh0980.pdf pdf_icon

PDH0980

100V N-Channel MOSFETs PDH0980 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 100V 4.2m 150A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 100V,150A, RDS(ON) =4.2m@VGS = 10V performance, and withstand hi

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: STP13NM60ND | 12N65KL-TF1-T | IPB06CN10NG | BUZ383 | APT10086BLC | MTBA6C12Q8 | IXTA10P50P

 

 
Back to Top

 


 
.