PDH0980 - аналоги и даташиты транзистора

 

PDH0980 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PDH0980
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 275 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1690 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для PDH0980

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDH0980 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:684K  potens
 pdh0980.pdf pdf_icon

PDH0980

100V N-Channel MOSFETs PDH0980 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 100V 4.2m 150A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 100V,150A, RDS(ON) =4.2m@VGS = 10V performance, and withstand hi

Другие MOSFET... PDC3964Z , PDC8974X , PDC906Z , PDD0906 , PDD3906 , PDD3908 , PDD6902 , PDEC2210V , 8N60 , PDH6902 , PDK3908 , PDK6912 , PDN2309S , PDN2311S , PDN2312S , PDN2313S , PDN2318S .

History: UT60N03 | IRFP440R | IRFY9130M | 4N90G-TM3-T | LNF12N60 | IRFP4127PBF

 

 
Back to Top

 


 
.