Справочник MOSFET. PDH0980

 

PDH0980 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PDH0980
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 275 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 110 nC
   trⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1690 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для PDH0980

 

 

PDH0980 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:684K  potens
 pdh0980.pdf

PDH0980 PDH0980

100V N-Channel MOSFETs PDH0980 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 100V 4.2m 150A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 100V,150A, RDS(ON) =4.2m@VGS = 10V performance, and withstand hi

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top