PDH0980 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDH0980  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 275 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1690 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PDH0980

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDH0980 даташит

 ..1. Size:684K  potens
 pdh0980.pdf pdf_icon

PDH0980

100V N-Channel MOSFETs PDH0980 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 100V 4.2m 150A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 100V,150A, RDS(ON) =4.2m @VGS = 10V performance, and withstand hi

Другие IGBT... PDC3964Z, PDC8974X, PDC906Z, PDD0906, PDD3906, PDD3908, PDD6902, PDEC2210V, IRFZ24N, PDH6902, PDK3908, PDK6912, PDN2309S, PDN2311S, PDN2312S, PDN2313S, PDN2318S