PDK6912 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PDK6912  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.79 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm

Encapsulados: SOT89

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de PDK6912 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PDK6912 datasheet

 ..1. Size:556K  potens
 pdk6912.pdf pdf_icon

PDK6912

60V N-Channel MOSFETs PDK6912 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 60V 75m 5A advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching Features performance, and withstand high energy pulse in the 60V,5A, RDS(ON) =75

Otros transistores... PDD0906, PDD3906, PDD3908, PDD6902, PDEC2210V, PDH0980, PDH6902, PDK3908, P60NF06, PDN2309S, PDN2311S, PDN2312S, PDN2313S, PDN2318S, PDN3611S, PDN3612S, PDN3909S