PDK6912 Todos los transistores

 

PDK6912 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PDK6912
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.79 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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PDK6912 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:556K  potens
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PDK6912

60V N-Channel MOSFETs PDK6912 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 60V 75m 5A advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching Features performance, and withstand high energy pulse in the 60V,5A, RDS(ON) =75

Otros transistores... PDD0906 , PDD3906 , PDD3908 , PDD6902 , PDEC2210V , PDH0980 , PDH6902 , PDK3908 , AO3401 , PDN2309S , PDN2311S , PDN2312S , PDN2313S , PDN2318S , PDN3611S , PDN3612S , PDN3909S .

History: NVJD4152P | JCS7N95CA | 2N7222U | PSMN9R0-30LL | STN4392 | BRCS26N50PH | AM1523CE

 

 
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