Справочник MOSFET. PDK6912

 

PDK6912 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PDK6912
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: SOT89
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PDK6912 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:556K  potens
 pdk6912.pdf pdf_icon

PDK6912

60V N-Channel MOSFETs PDK6912 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 60V 75m 5A advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching Features performance, and withstand high energy pulse in the 60V,5A, RDS(ON) =75

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: RJK4006DPD | IXTT360N055T2 | WMK18N50C4 | HGN170N10AL | STP6635GH | IRFI9540GP | KRF7401

 

 
Back to Top

 


 
.