Справочник MOSFET. PDK6912

 

PDK6912 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PDK6912
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: SOT89
 

 Аналог (замена) для PDK6912

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDK6912 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:556K  potens
 pdk6912.pdf pdf_icon

PDK6912

60V N-Channel MOSFETs PDK6912 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 60V 75m 5A advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching Features performance, and withstand high energy pulse in the 60V,5A, RDS(ON) =75

Другие MOSFET... PDD0906 , PDD3906 , PDD3908 , PDD6902 , PDEC2210V , PDH0980 , PDH6902 , PDK3908 , AO3401 , PDN2309S , PDN2311S , PDN2312S , PDN2313S , PDN2318S , PDN3611S , PDN3612S , PDN3909S .

 

 
Back to Top

 


 
.