PDK6912 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDK6912  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.79 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: SOT89

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PDK6912

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDK6912 даташит

 ..1. Size:556K  potens
 pdk6912.pdf pdf_icon

PDK6912

60V N-Channel MOSFETs PDK6912 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 60V 75m 5A advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching Features performance, and withstand high energy pulse in the 60V,5A, RDS(ON) =75

Другие IGBT... PDD0906, PDD3906, PDD3908, PDD6902, PDEC2210V, PDH0980, PDH6902, PDK3908, P60NF06, PDN2309S, PDN2311S, PDN2312S, PDN2313S, PDN2318S, PDN3611S, PDN3612S, PDN3909S