PDN3611S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PDN3611S 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
Encapsulados: SOT23-3S
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PDN3611S datasheet
pdn3611s.pdf
30V P-Channel MOSFETs PDN3611S General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -30V 65m -4.1A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -30V,-4.1A, RDS(ON) =65m @VGS = -10V performance, and withstand hig
pdn3612s.pdf
30V N-Channel MOSFETs PDN3612S General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 30V 32m 5.3A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 30V, 5.3 A, RDS(ON) =32m @VGS = 4.5V performance, and withstand high
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History: PSD04N65B | SI7120DN
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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