PDN3611S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PDN3611S  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm

Encapsulados: SOT23-3S

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PDN3611S datasheet

 ..1. Size:426K  potens
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PDN3611S

30V P-Channel MOSFETs PDN3611S General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -30V 65m -4.1A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -30V,-4.1A, RDS(ON) =65m @VGS = -10V performance, and withstand hig

 8.1. Size:488K  potens
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PDN3611S

30V N-Channel MOSFETs PDN3612S General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 30V 32m 5.3A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 30V, 5.3 A, RDS(ON) =32m @VGS = 4.5V performance, and withstand high

Otros transistores... PDH6902, PDK3908, PDK6912, PDN2309S, PDN2311S, PDN2312S, PDN2313S, PDN2318S, 7N60, PDN3612S, PDN3909S, PDN3912S, PDN3914S, PDN3916S, PDN4911S, PDN6911S, PDP0959