PDN3611S Todos los transistores

 

PDN3611S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PDN3611S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-3S
 

 Búsqueda de reemplazo de PDN3611S MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PDN3611S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:426K  potens
 pdn3611s.pdf pdf_icon

PDN3611S

30V P-Channel MOSFETs PDN3611S General Description BVDSS RDSON IDThese P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -30V 65m -4.1A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -30V,-4.1A, RDS(ON) =65m@VGS = -10V performance, and withstand hig

 8.1. Size:488K  potens
 pdn3612s.pdf pdf_icon

PDN3611S

30V N-Channel MOSFETs PDN3612S General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 30V 32m 5.3A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 30V, 5.3 A, RDS(ON) =32m@VGS = 4.5V performance, and withstand high

Otros transistores... PDH6902 , PDK3908 , PDK6912 , PDN2309S , PDN2311S , PDN2312S , PDN2313S , PDN2318S , MMIS60R580P , PDN3612S , PDN3909S , PDN3912S , PDN3914S , PDN3916S , PDN4911S , PDN6911S , PDP0959 .

History: LSB55R050GT | HM10P10D | FDU6688

 

 
Back to Top

 


 
.