Справочник MOSFET. PDN3611S

 

PDN3611S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PDN3611S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-3S
 

 Аналог (замена) для PDN3611S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDN3611S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:426K  potens
 pdn3611s.pdf pdf_icon

PDN3611S

30V P-Channel MOSFETs PDN3611S General Description BVDSS RDSON IDThese P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -30V 65m -4.1A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -30V,-4.1A, RDS(ON) =65m@VGS = -10V performance, and withstand hig

 8.1. Size:488K  potens
 pdn3612s.pdf pdf_icon

PDN3611S

30V N-Channel MOSFETs PDN3612S General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 30V 32m 5.3A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 30V, 5.3 A, RDS(ON) =32m@VGS = 4.5V performance, and withstand high

Другие MOSFET... PDH6902 , PDK3908 , PDK6912 , PDN2309S , PDN2311S , PDN2312S , PDN2313S , PDN2318S , MMIS60R580P , PDN3612S , PDN3909S , PDN3912S , PDN3914S , PDN3916S , PDN4911S , PDN6911S , PDP0959 .

History: R6009ENX

 

 
Back to Top

 


 
.