PDN3611S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDN3611S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: SOT23-3S

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PDN3611S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDN3611S даташит

 ..1. Size:426K  potens
 pdn3611s.pdf pdf_icon

PDN3611S

30V P-Channel MOSFETs PDN3611S General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -30V 65m -4.1A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -30V,-4.1A, RDS(ON) =65m @VGS = -10V performance, and withstand hig

 8.1. Size:488K  potens
 pdn3612s.pdf pdf_icon

PDN3611S

30V N-Channel MOSFETs PDN3612S General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 30V 32m 5.3A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 30V, 5.3 A, RDS(ON) =32m @VGS = 4.5V performance, and withstand high

Другие IGBT... PDH6902, PDK3908, PDK6912, PDN2309S, PDN2311S, PDN2312S, PDN2313S, PDN2318S, 7N60, PDN3612S, PDN3909S, PDN3912S, PDN3914S, PDN3916S, PDN4911S, PDN6911S, PDP0959