PDN4911S Todos los transistores

 

PDN4911S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PDN4911S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.068 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-3S
 

 Búsqueda de reemplazo de PDN4911S MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PDN4911S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:832K  potens
 pdn4911s.pdf pdf_icon

PDN4911S

40V P-Channel MOSFETs PDN4911S General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -40V 68m -2.9A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -40V,-2.9A, RDS(ON) =68m@VGS = -10V performance, and withstand hig

Otros transistores... PDN2313S , PDN2318S , PDN3611S , PDN3612S , PDN3909S , PDN3912S , PDN3914S , PDN3916S , IRF520 , PDN6911S , PDP0959 , PDP0980 , PDP3960 , PDQ3714 , PDS3712 , PDS3807 , PDS3812 .

History: B4N60 | IPA60R1K5CE | SRC60R160FB | IRFR5305TRPBF | MEE15N10-G | IRFP450PBF

 

 
Back to Top

 


 
.