Справочник MOSFET. PDN4911S

 

PDN4911S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PDN4911S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.068 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-3S
 

 Аналог (замена) для PDN4911S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDN4911S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:832K  potens
 pdn4911s.pdf pdf_icon

PDN4911S

40V P-Channel MOSFETs PDN4911S General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -40V 68m -2.9A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -40V,-2.9A, RDS(ON) =68m@VGS = -10V performance, and withstand hig

Другие MOSFET... PDN2313S , PDN2318S , PDN3611S , PDN3612S , PDN3909S , PDN3912S , PDN3914S , PDN3916S , 8N60 , PDN6911S , PDP0959 , PDP0980 , PDP3960 , PDQ3714 , PDS3712 , PDS3807 , PDS3812 .

History: STP13N65M2

 

 
Back to Top

 


 
.