Справочник MOSFET. PDN4911S

 

PDN4911S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PDN4911S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.068 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-3S
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PDN4911S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:832K  potens
 pdn4911s.pdf pdf_icon

PDN4911S

40V P-Channel MOSFETs PDN4911S General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -40V 68m -2.9A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -40V,-2.9A, RDS(ON) =68m@VGS = -10V performance, and withstand hig

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: JFHM50N50C | SIA441DJ | RJK0406JPE | APQ08SN50BE | P0425AD | FDM50R120AN4G | IRF5N3205

 

 
Back to Top

 


 
.