PDN6911S Todos los transistores

 

PDN6911S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PDN6911S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: SOT23-3S

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PDN6911S datasheet

 ..1. Size:466K  potens
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PDN6911S

60V P-Channel MOSFETs PDN6911S General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -60V 190m -2A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -60V,-2A, RDS(ON) =190m @VGS = -10V performance, and withstand hig

Otros transistores... PDN2318S , PDN3611S , PDN3612S , PDN3909S , PDN3912S , PDN3914S , PDN3916S , PDN4911S , AON7403 , PDP0959 , PDP0980 , PDP3960 , PDQ3714 , PDS3712 , PDS3807 , PDS3812 , PDS3903 .

History: HM20N15A

 

 

 

 

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