PDN6911S Todos los transistores

 

PDN6911S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PDN6911S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-3S
 

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PDN6911S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:466K  potens
 pdn6911s.pdf pdf_icon

PDN6911S

60V P-Channel MOSFETs PDN6911S General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -60V 190m -2A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -60V,-2A, RDS(ON) =190m@VGS = -10V performance, and withstand hig

Otros transistores... PDN2318S , PDN3611S , PDN3612S , PDN3909S , PDN3912S , PDN3914S , PDN3916S , PDN4911S , EMB04N03H , PDP0959 , PDP0980 , PDP3960 , PDQ3714 , PDS3712 , PDS3807 , PDS3812 , PDS3903 .

History: KP978VC | SQM40N10-30 | GSM3460 | STFW40N60M2 | HFS4N50 | NTMFS5C604NLT1G | 5N60G-TN3-R

 

 
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