PDN6911S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDN6911S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: SOT23-3S

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PDN6911S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDN6911S даташит

 ..1. Size:466K  potens
 pdn6911s.pdf pdf_icon

PDN6911S

60V P-Channel MOSFETs PDN6911S General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -60V 190m -2A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -60V,-2A, RDS(ON) =190m @VGS = -10V performance, and withstand hig

Другие IGBT... PDN2318S, PDN3611S, PDN3612S, PDN3909S, PDN3912S, PDN3914S, PDN3916S, PDN4911S, AON7403, PDP0959, PDP0980, PDP3960, PDQ3714, PDS3712, PDS3807, PDS3812, PDS3903