Справочник MOSFET. PDN6911S

 

PDN6911S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PDN6911S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-3S
 

 Аналог (замена) для PDN6911S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDN6911S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:466K  potens
 pdn6911s.pdf pdf_icon

PDN6911S

60V P-Channel MOSFETs PDN6911S General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -60V 190m -2A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -60V,-2A, RDS(ON) =190m@VGS = -10V performance, and withstand hig

Другие MOSFET... PDN2318S , PDN3611S , PDN3612S , PDN3909S , PDN3912S , PDN3914S , PDN3916S , PDN4911S , EMB04N03H , PDP0959 , PDP0980 , PDP3960 , PDQ3714 , PDS3712 , PDS3807 , PDS3812 , PDS3903 .

History: AFP8206 | RU40130R

 

 
Back to Top

 


 
.