PDP0959 Todos los transistores

 

PDP0959 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PDP0959

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 114 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: TO220

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PDP0959 datasheet

 ..1. Size:800K  potens
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PDP0959

100V P-Channel MOSFETs PDP0959 General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -100V 45m -35A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -100V,-35A, RDS(ON) 45m @VGS = -10V performance, and withstand hig

 9.1. Size:776K  potens
 pdp0980.pdf pdf_icon

PDP0959

100V N-Channel MOSFETs PDP0980 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 100V 4.2m 150A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 100V,150A, RDS(ON) =4.2m @VGS = 10V performance, and withstand hi

Otros transistores... PDN3611S , PDN3612S , PDN3909S , PDN3912S , PDN3914S , PDN3916S , PDN4911S , PDN6911S , K2611 , PDP0980 , PDP3960 , PDQ3714 , PDS3712 , PDS3807 , PDS3812 , PDS3903 , PDS4810 .

History: MDF18N50BTH | BUK952R3-40E

 

 

 

 

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