PDP0959 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PDP0959
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 114 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 35 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 98 nC
Tiempo de subida (tr): 24 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 220 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.045 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PDP0959
PDP0959 Datasheet (PDF)
pdp0959.pdf
100V P-Channel MOSFETs PDP0959 General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -100V 45m -35A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -100V,-35A, RDS(ON) 45m@VGS = -10V performance, and withstand hig
pdp0980.pdf
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